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GIST 연구팀이 극저온 투과전자현미경을 이용해 고분자 나노선 내부의 분자 배열을 정밀 분석했다. 연구팀은 나노선마다 다른 분자 배열 구조를 정량적으로 파악해 전자소재의 전기적 성능과 신축성을 조절하는 설계 기준을 마련했다.
"광주과학기술원(GIST·총장 임기철)은 이은지 신소재공학과 교수팀이 초고해상도 극저온 투과전자현미경(cryo-TEM)으로 개별 고분자 나노선의 내부 분자 배열을 정밀 분석하고 이를 바탕으로 전기적 성능과 신축성을 조절할 수 있는 소재 설계 기준을 제시했다고 19일 밝혔다. 고분자 나노선은 초미세 선 형태의 고분자 소재다."
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