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일본 레조낙이 12인치 SiC 웨이퍼 개발에 성공했다. 기존 6인치 대비 생산량을 4배 늘릴 수 있어 전력 반도체 생산 효율을 크게 높일 것으로 기대된다.
"일본 소재·부품 기업 레조낙이 차세대 전력 반도체로 주목받는 실리콘카바이드(SiC) 12인치 웨이퍼 개발에 성공했다. 기존 주류인 6인치 대비 생산량을 4배 가까이 끌어올릴 수 있어, SiC 반도체 성장에 기여할 것으로 전망된다. 21일 업계에 따르면, 레조낙은 최근 12인치(300㎜) SiC 단일 결정을 성장시키는데 성공했다."
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