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국제
2026.09.13
Chinese breakthrough in chip material aims to clear hurdle for next-gen memory
SCMP
· 2026.09.13 00:00
중국 연구진이 차세대 메모리 소재인 우르츠광 강유전체의 내구성을 기존 대비 100배 향상시키는 기술을 개발했습니다. 이번 연구는 데이터 저장 신뢰성을 높여 고성능 컴퓨팅 및 인공지능 시스템의 상용화 가능성을 한층 높였다는 평가를 받습니다.
"Chinese researchers extend future memory endurance 100-fold in semiconductor advance Restricting nitrogen-vacancy movement in wurtzite ferroelectrics looks to improve the reliability of next-generatio"
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