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KAIST 연구팀이 2차원 반도체의 결정 구조를 보호하면서 선택적으로 도핑할 수 있는 초박막 이중 보호층 기술을 개발했다. 이 기술을 통해 반도체의 접촉저항을 대폭 낮추고 저전압 구동 성능을 최대 260배까지 향상하는 데 성공했다.
"2차원 반도체 원자층을 완벽히 보호하면서도 저전압 구동 성능을 최대 260배까지 끌어올린 혁신적인 도핑 공정 기술이 개발됐다."
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