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창신메모리(CXMT)가 차세대 반도체 구조 '4F²'(포에프스퀘어) 개발에 대한 세부 진전 사항을 공개했다. 1일(현지시간) 펑파이·글로벌타임스 등 중국매체에 따르면 CXMT는 지난달 30일 3분기 실적 발표 및 성명을 통해 4F²에 기반한 6세대 D램 공정 플랫폼 엔지니어링 샘플(ES) 검증을 마쳤다고 처음으로 밝혔다. 엔지니어링 샘플은 제품 출시 전 테스트를 위한 시제품을 뜻한다. 제품 상용화를 위해서는 이 시제품의 검증 단계를 거쳐야 한다.
"반도체 웨이퍼 제조 공정에서 노광 공정으로 구현할 수 있는 최소 선폭을 'F'라고 부른다. 4F²은 메모리 1개 단위의 크기가 'F 제곱의 4배'라는 의미다. 현재 D램 주류 구조는 6F²로, 4F²는 이보다 발전해 단위 면적 내 트랜지스터 숫자는 늘고 메모리 집적도도 높아진다."
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