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KENTECH 연구팀이 차세대 메모리 소자인 강유전체 터널접합에서 분극 전환을 방해하는 계면 결함의 원리를 원자 수준에서 규명했다. 이번 연구는 계면 설계를 통해 메모리 성능을 높이는 데 기여할 것으로 기대된다.
"한국에너지공과대학교(KENTECH·총장직무대행 박진호) 오상호 교수 연구팀이 차세대 비휘발성 메모리 소자인 강유전체 터널접합(FTJ)에서 분극 전환을 방해하는 계면 결함의 작동 원리를 원자 수준에서 규명했다고 8일 밝혔다. 연구팀은 실제 소자에 전압을 가한 상태에서 원자층별 분극 변화를 직접 관찰했다."
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