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중국 반도체 기업 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 11.95나노미터 공정을 적용한 5세대 D램 양산을 시작했다. 이번 기술 도약으로 생산 효율성을 높인 CXMT는 글로벌 메모리 시장에서 삼성전자 및 SK하이닉스를 추격할 강력한 경쟁자로 부상하고 있다.
"“삼전닉스 추격한다”…CXMT, D램 미세공정 한단계 도약 칩 핵심구조 간격 11.95㎚로 축소 5세대 제조공정 활용 양산 돌입 8Gb D램 기준 생산량 50% 증가 5세대 제조공정 활용 양산 돌입 8Gb D램 기준 생산량 50% 증가"
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